Nature.com ত যোৱাৰ বাবে ধন্যবাদ। আপুনি ব্যৱহাৰ কৰা ব্ৰাউজাৰৰ সংস্কৰণত সীমিত CSS সমৰ্থন আছে। উত্তম ফলাফলৰ বাবে, আমি আপোনাৰ ব্ৰাউজাৰৰ এটা নতুন সংস্কৰণ ব্যৱহাৰ কৰাৰ পৰামৰ্শ দিওঁ (বা Internet Explorer ত সুসংগততা ধৰণ বন্ধ কৰক)। ইয়াৰ মাজতে, চলি থকা সমৰ্থন নিশ্চিত কৰিবলৈ, আমি ষ্টাইলিং বা জাভাস্ক্রিপ্ট অবিহনে চাইটটো দেখুৱাইছো।
লিড ট্ৰাইআয়ডাইড পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষৰ কাৰ্য্যক্ষমতা উন্নত কৰিবলৈ দোষ নিষ্ক্ৰিয়কৰণৰ বহুল ব্যৱহাৰ কৰা হৈছে যদিও α-পৰ্যায়ৰ স্থিৰতাৰ ওপৰত বিভিন্ন দোষৰ প্ৰভাৱ অস্পষ্ট হৈ আছে; ইয়াত ঘনত্ব কাৰ্য্যকৰী তত্ত্ব ব্যৱহাৰ কৰি আমি প্ৰথমবাৰৰ বাবে ফৰ্মেমিডিন লিড ট্ৰাইআয়ডাইড পেৰ’ভস্কাইটৰ অৱক্ষয়ৰ পথ α-ফেজৰ পৰা δ-ফেজলৈ চিনাক্ত কৰি ফেজ পৰিৱৰ্তন শক্তি বাধাৰ ওপৰত বিভিন্ন দোষৰ প্ৰভাৱ অধ্যয়ন কৰোঁ। চিমুলেচনৰ ফলাফলসমূহে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰিছে যে আয়'ডিনৰ খালী স্থানসমূহে অৱক্ষয়ৰ সৃষ্টি কৰাৰ সম্ভাৱনা বেছি কাৰণ ই α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ বাবে শক্তিৰ বাধা যথেষ্ট হ্ৰাস কৰে আৰু পেৰ'ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠত গঠন শক্তি সৰ্বনিম্ন। পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠত পানীত অদ্ৰৱণীয় সীহৰ অক্সালেটৰ ঘন স্তৰ প্ৰৱেশ কৰিলে α-পৰ্যায়ৰ পচন যথেষ্ট পৰিমাণে বাধাপ্ৰাপ্ত হয়, যাৰ ফলত আয়’ডিনৰ প্ৰব্ৰজন আৰু বাষ্পীভৱন ৰোধ হয়। ইয়াৰ উপৰিও এই কৌশলে আন্তঃপৃষ্ঠীয় অবিকিৰণীয় পুনঃসংমিশ্ৰণ যথেষ্ট হ্ৰাস কৰে আৰু সৌৰকোষৰ কাৰ্যক্ষমতা ২৫.৩৯% (প্ৰমাণিত ২৪.৯২%) লৈ বৃদ্ধি কৰে। পেকেজ নকৰা যন্ত্ৰটোৱে চিমুলেটেড ১.৫ জি বায়ু ভৰ বিকিৰণৰ অধীনত ৫৫০ ঘণ্টা সৰ্বোচ্চ শক্তিৰে কাম কৰাৰ পিছতো ইয়াৰ মূল ৯২% কাৰ্যক্ষমতা বজাই ৰাখিব পাৰে।
পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষ (পিএছচি)ৰ শক্তি ৰূপান্তৰ কাৰ্যক্ষমতা (পিচিই) ২৬%১ৰ প্ৰমাণিত অভিলেখ সৃষ্টি কৰিছে। ২০১৫ চনৰ পৰা আধুনিক পিএছচিসমূহে ফৰ্মেমিডিন ট্ৰাইআয়ডাইড পেৰ'ভস্কাইট (FAPbI3)ক পোহৰ শোষক স্তৰ হিচাপে পছন্দ কৰিছে কাৰণ ইয়াৰ উৎকৃষ্ট তাপীয় স্থিৰতা আৰু শ্বকলি-কেইজাৰ সীমা ২,৩,৪ৰ ওচৰত পছন্দৰ বেণ্ডগেপ। দুৰ্ভাগ্যজনকভাৱে, FAPbI3 ফিল্মসমূহে তাপগতিবিদ্যাৰ দ্বাৰা কোঠাৰ উষ্ণতাত ক'লা α পৰ্যায়ৰ পৰা হালধীয়া নন-পেৰ'ভস্কাইট δ পৰ্যায়লৈ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন ঘটে5,6। ডেল্টা পৰ্যায়ৰ গঠন ৰোধ কৰিবলৈ বিভিন্ন জটিল পেৰ’ভস্কাইটৰ ৰচনা বিকশিত কৰা হৈছে। এই সমস্যা দূৰ কৰাৰ বাবে আটাইতকৈ সাধাৰণ কৌশল হ'ল FAPbI3ক মিথাইল এমোনিয়াম (MA+), চিজিয়াম (Cs+) আৰু ব্ৰমাইড (Br-) আয়নৰ সংমিশ্ৰণৰ সৈতে মিহলোৱা7,8,9। কিন্তু হাইব্ৰিড পেৰ'ভস্কাইটসমূহে বেণ্ডগেপ ব্ৰডেনিং আৰু ফটোইণ্ডুচড ফেজ পৃথকীকৰণৰ দ্বাৰা ভোগে, যিয়ে ফলস্বৰূপে পোৱা পিএছচিসমূহৰ কাৰ্য্যক্ষমতা আৰু কাৰ্য্যকৰী স্থিৰতাত আপোচ কৰে10,11,12।
শেহতীয়া অধ্যয়নত দেখা গৈছে যে কোনো ডপিং নোহোৱাকৈ বিশুদ্ধ একক স্ফটিক FAPbI3 ৰ স্ফটিকীয়তা আৰু কম দোষৰ বাবে উৎকৃষ্ট স্থিৰতা আছে13,14। গতিকে বাল্ক FAPbI3 ৰ স্ফটিকীয়তা বৃদ্ধি কৰি দোষ হ্ৰাস কৰাটো কাৰ্যক্ষম আৰু সুস্থিৰ PSCs2,15 লাভৰ বাবে এক গুৰুত্বপূৰ্ণ কৌশল। কিন্তু FAPbI3 PSC ৰ কাৰ্য্যৰ সময়ত অবাঞ্চিত হালধীয়া ষড়ভুজ নন-পেৰ'ভস্কাইট δ পৰ্যায়লৈ অৱক্ষয় এতিয়াও হ'ব পাৰে16। সাধাৰণতে এই প্ৰক্ৰিয়াটো এনে পৃষ্ঠ আৰু শস্যৰ সীমাত আৰম্ভ হয় যিবোৰ অসংখ্য ত্ৰুটিপূৰ্ণ অঞ্চলৰ উপস্থিতিৰ বাবে পানী, তাপ আৰু পোহৰৰ প্ৰতি অধিক সহজলভ্য হয়17। গতিকে FAPbI318 ৰ ক’লা পৰ্যায়টো স্থিৰ কৰিবলৈ পৃষ্ঠ/দানা নিষ্ক্ৰিয়কৰণৰ প্ৰয়োজন হয়। কম মাত্ৰাৰ পেৰ'ভস্কাইট, এচিড-বেছ লুইছ অণু, আৰু এমোনিয়াম হেলাইড লৱণৰ প্ৰৱৰ্তনকে ধৰি বহুতো ত্ৰুটি নিষ্ক্ৰিয়কৰণ কৌশলে ফৰ্মেমিডিন পিএছচিসমূহত যথেষ্ট অগ্ৰগতি লাভ কৰিছে19,20,21,22। আজিলৈকে প্ৰায় সকলো অধ্যয়নেই সৌৰকোষত বাহকৰ পুনঃসংমিশ্ৰণ, প্ৰসাৰণৰ দৈৰ্ঘ্য আৰু বেণ্ড গঠন আদি অপ্টোইলেক্ট্ৰনিক ধৰ্ম নিৰ্ণয় কৰাত বিভিন্ন দোষৰ ভূমিকাক গুৰুত্ব আৰোপ কৰিছে22,23,24। উদাহৰণস্বৰূপে, ঘনত্ব কাৰ্য্যকৰী তত্ত্ব (DFT) ব্যৱহাৰ কৰি বিভিন্ন দোষৰ গঠন শক্তি আৰু ফান্দ শক্তিৰ মাত্ৰা তাত্ত্বিকভাৱে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰা হয়, যিটো ব্যৱহাৰিক নিষ্ক্ৰিয়কৰণ ডিজাইনৰ পথ প্ৰদৰ্শন কৰিবলৈ ব্যাপকভাৱে ব্যৱহাৰ কৰা হয়20,25,26। দোষৰ সংখ্যা কমি যোৱাৰ লগে লগে ডিভাইচটোৰ স্থিৰতা সাধাৰণতে উন্নত হয়। কিন্তু ফৰ্মেমিডিন পিএছচিত ফেজ স্থিৰতা আৰু আলোকবৈদ্যুতিক ধৰ্মৰ ওপৰত বিভিন্ন দোষৰ প্ৰভাৱৰ ব্যৱস্থা সম্পূৰ্ণ বেলেগ হ’ব লাগে। আমাৰ জ্ঞাতসাৰে, দোষে ঘনকৰ পৰা ষড়ভুজ (α-δ) পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন কেনেকৈ প্ৰৰোচিত কৰে আৰু α-FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইটৰ পৰ্যায় স্থিৰতাৰ ওপৰত পৃষ্ঠ নিষ্ক্ৰিয়কৰণৰ ভূমিকা সম্পৰ্কে মৌলিক বুজাবুজি এতিয়াও ভালদৰে বুজা হোৱা নাই।
ইয়াত আমি FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইটৰ ক’লা α-পৰ্যায়ৰ পৰা হালধীয়া δ-পৰ্যায়লৈ অৱক্ষয়ৰ পথ আৰু DFTৰ জৰিয়তে α-ৰ পৰা δ-পৰ্যায়লৈ পৰিৱৰ্তনৰ শক্তি বাধাৰ ওপৰত বিভিন্ন দোষৰ প্ৰভাৱ উন্মোচন কৰোঁ। I খালী পদ, যিবোৰ ফিল্ম নিৰ্মাণ আৰু ডিভাইচ চলোৱাৰ সময়ত সহজে সৃষ্টি হয়, α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন আৰম্ভ কৰাৰ সম্ভাৱনা বেছি বুলি ভৱিষ্যদ্বাণী কৰা হৈছে। গতিকে আমি ইন চিটু বিক্ৰিয়াৰ জৰিয়তে FAPbI3 ৰ ওপৰত পানীত অদ্ৰৱণীয় আৰু ৰাসায়নিকভাৱে সুস্থিৰ সীহ অক্সালেট (PbC2O4)ৰ ঘন স্তৰ এটা প্ৰৱৰ্তন কৰিলোঁ। লিড অক্সালেট পৃষ্ঠই (LOS) I খালী স্থান গঠনত বাধা দিয়ে আৰু তাপ, পোহৰ আৰু বৈদ্যুতিক ক্ষেত্ৰৰ দ্বাৰা উদ্দীপিত হ'লে I আয়নৰ প্ৰব্ৰজন ৰোধ কৰে। ফলস্বৰূপে LOS এ আন্তঃপৃষ্ঠীয় ননৰেডিয়েটিভ পুনঃসংমিশ্ৰণ যথেষ্ট হ্ৰাস কৰে আৰু FAPbI3 PSC কাৰ্যক্ষমতা ২৫.৩৯% (২৪.৯২% লৈ প্ৰমাণিত) লৈ উন্নত কৰে। পেকেজ নকৰা এল অ’ এছ ডিভাইচটোৱে ১.৫ গ্ৰাম বিকিৰণৰ চিমুলেটেড এয়াৰ ভৰ (এ এম)ত ৫৫০ ঘণ্টাৰো অধিক সময় সৰ্বোচ্চ শক্তি বিন্দুত (এম পি পি) কাম কৰাৰ পিছত ইয়াৰ মূল কাৰ্যক্ষমতাৰ ৯২% বজাই ৰাখিছিল।
আমি প্ৰথমে FAPbI3 পেৰ'ভস্কাইটৰ α পৰ্যায়ৰ পৰা δ পৰ্যায়লৈ পৰিৱৰ্তন হোৱাৰ বিয়োজনৰ পথ বিচাৰিবলৈ ab initio গণনা কৰিলোঁ। বিশদ পৰ্যায় ৰূপান্তৰ প্ৰক্ৰিয়াৰ জৰিয়তে দেখা যায় যে FAPbI3 ৰ ঘন α-পৰ্যায়ৰ ত্ৰিমাত্ৰিক কোণ-ভাগী [PbI6] অষ্টভুজৰ পৰা FAPbI3ৰ ষড়ভুজ δ-পৰ্যায়ৰ একমাত্ৰিক প্ৰান্ত-ভাগী [PbI6] অষ্টভুজলৈ ৰূপান্তৰ সম্ভৱ হয়। 9. Pb-I এ প্ৰথম পদক্ষেপত (Int-1) এটা বন্ধন গঠন কৰে, আৰু ইয়াৰ শক্তি বাধা 0.62 eV/কোষ পোৱা যায়, চিত্ৰ 1a ত দেখুওৱাৰ দৰে। যেতিয়া অষ্টভুজটোক [0\(\bar{1}\)1] দিশত স্থানান্তৰিত কৰা হয়, তেতিয়া ষড়ভুজযুক্ত চুটি শৃংখলটো 1×1ৰ পৰা 1×3, 1×4 লৈ প্ৰসাৰিত হয় আৰু শেষত δ পৰ্যায়ত প্ৰৱেশ কৰে। সমগ্ৰ পথটোৰ অভিমুখ অনুপাত হ’ল (011)α//(001)δ + [100]α//[100]δ। শক্তি বিতৰণ ডায়াগ্ৰামৰ পৰা দেখা যায় যে তলৰ পৰ্যায়সমূহত FAPbI3 ৰ δ পৰ্যায়ৰ নিউক্লিয়েশন হোৱাৰ পিছত শক্তি বাধা α পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনতকৈ কম, অৰ্থাৎ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন ত্বৰান্বিত হ’ব। স্পষ্টভাৱে, যদি আমি α-পৰ্যায়ৰ অৱক্ষয় দমন কৰিব বিচাৰো তেন্তে পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন নিয়ন্ত্ৰণৰ প্ৰথম পদক্ষেপটো অতি গুৰুত্বপূৰ্ণ।
বাওঁফালৰ পৰা সোঁফাললৈ এটা পৰ্যায় ৰূপান্তৰ প্ৰক্ৰিয়া – ক'লা FAPbI3 পৰ্যায় (α-পৰ্যায়), প্ৰথম Pb-I বন্ধন বিভাজন (Int-1) আৰু অধিক Pb-I বন্ধন বিভাজন (Int-2, Int -3 আৰু Int -4) আৰু হালধীয়া পৰ্যায়ৰ FAPbI3 (ডেল্টা পৰ্যায়)। b বিভিন্ন অন্তৰ্নিহিত বিন্দুৰ দোষৰ ওপৰত ভিত্তি কৰি FAPbI3 ৰ α ৰ পৰা δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ শক্তিৰ বাধা। বিন্দুযুক্ত ৰেখাডালে এটা আদৰ্শ স্ফটিকৰ শক্তি বাধা (০.৬২ ইভি) দেখুৱাইছে। c সীহৰ পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠত প্ৰাথমিক বিন্দুৰ দোষ গঠনৰ শক্তি। এবচিছা অক্ষ হৈছে α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ শক্তি বাধা আৰু অৰ্ডিনেট অক্ষ হৈছে ত্ৰুটি গঠনৰ শক্তি। ধূসৰ, হালধীয়া আৰু সেউজীয়া ৰঙেৰে ছাঁ দিয়া অংশবোৰ ক্ৰমে প্ৰথম প্ৰকাৰ (নিম্ন EB-উচ্চ FE), দ্বিতীয় প্ৰকাৰ (উচ্চ FE) আৰু তৃতীয় প্ৰকাৰ (নিম্ন EB-নিম্ন FE)। d নিয়ন্ত্ৰণত FAPbI3 ৰ ত্ৰুটি VI আৰু LOS গঠনৰ শক্তি। e I FAPbI3 ৰ নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS ত আয়ন প্ৰব্ৰজনৰ বাধা। f – gf নিয়ন্ত্ৰণত I আয়ন (কমলা গোলক) আৰু gLOS FAPbI3 (ধূসৰ, সীহ; বেঙুনীয়া (কমলা), আয়'ডিন (চলন্ত আয়'ডিন))ৰ প্ৰব্ৰজনৰ আৰ্হিগত উপস্থাপন (বাওঁফালে: ওপৰৰ দৃশ্য; সোঁফালে: ক্ৰছ ছেকচন, বাদামী); কাৰ্বন; পাতল নীলা – নাইট্ৰজেন; ৰঙা – অক্সিজেন; পাতল গোলাপী – হাইড্ৰজেন)। উৎস তথ্য উৎস তথ্য ফাইলৰ আকাৰত প্ৰদান কৰা হয়।
তাৰ পিছত আমি বিভিন্ন অন্তৰ্নিহিত বিন্দুৰ দোষৰ প্ৰভাৱ (PbFA, IFA, PbI, আৰু IPb এন্টিচাইট দখল; Pbi আৰু Ii অন্তৰ্স্থলী পৰমাণু; আৰু VI, VFA, আৰু VPb খালী স্থানকে ধৰি) প্ৰভাৱ পদ্ধতিগতভাৱে অধ্যয়ন কৰিলোঁ, যিবোৰক মূল কাৰক বুলি গণ্য কৰা হয়। আমোদজনকভাৱে, সকলো দোষেই α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ শক্তি বাধা হ্ৰাস নকৰে (চিত্ৰ 1b)। আমি বিশ্বাস কৰোঁ যে যিবোৰ দোষত গঠন শক্তি কম আৰু α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন শক্তিৰ বাধা কম দুয়োটা থাকে, সেইবোৰক পৰ্যায়ৰ স্থিৰতাৰ বাবে ক্ষতিকাৰক বুলি গণ্য কৰা হয়। পূৰ্বে ৰিপৰ্ট কৰা অনুসৰি, সীহ সমৃদ্ধ পৃষ্ঠক সাধাৰণতে ফৰ্মেমিডিন পিএছচি২৭ৰ বাবে ফলপ্ৰসূ বুলি গণ্য কৰা হয়। গতিকে আমি সীহ সমৃদ্ধ পৰিস্থিতিত PbI2-সমাপ্ত (১০০) পৃষ্ঠত গুৰুত্ব দিওঁ। পৃষ্ঠৰ অন্তৰ্নিহিত বিন্দুৰ দোষৰ ত্ৰুটি গঠন শক্তি চিত্ৰ ১c আৰু পৰিপূৰক সূচী ১ত দেখুওৱা হৈছে। শক্তি বাধা (EB) আৰু পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন গঠন শক্তি (FE)ৰ ভিত্তিত এই দোষসমূহক তিনি প্ৰকাৰত ভাগ কৰা হৈছে। প্ৰথম প্ৰকাৰ (কম EB-উচ্চ FE): যদিও IPb, VFA আৰু VPb এ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ শক্তিৰ বাধা যথেষ্ট হ্ৰাস কৰে, ইহঁতৰ গঠন শক্তি উচ্চ। গতিকে আমি বিশ্বাস কৰোঁ যে এই ধৰণৰ দোষবোৰে ফেজ ট্ৰেঞ্জিচনত সীমিত প্ৰভাৱ পেলায় কাৰণ ইহঁত খুব কমেইহে গঠন হয়। দ্বিতীয় প্ৰকাৰ (উচ্চ EB): উন্নত α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন শক্তি বাধাৰ বাবে, এন্টি-ছাইট দোষ PbI, IFA আৰু PbFA য়ে α-FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইটৰ পৰ্যায় স্থিৰতাক ক্ষতি নকৰে। তৃতীয় প্ৰকাৰ (কম EB-নিম্ন FE): তুলনামূলকভাৱে কম গঠন শক্তিৰ VI, Ii আৰু Pbi দোষে ক’লা পৰ্যায়ৰ অৱক্ষয়ৰ সৃষ্টি কৰিব পাৰে। বিশেষকৈ সৰ্বনিম্ন FE আৰু EB VI ৰ প্ৰতি লক্ষ্য ৰাখি আমি বিশ্বাস কৰোঁ যে আটাইতকৈ ফলপ্ৰসূ কৌশল হ’ল I খালী পদ হ্ৰাস কৰা।
VI হ্ৰাস কৰিবলৈ আমি FAPbI3 ৰ পৃষ্ঠভাগ উন্নত কৰিবলৈ PbC2O4 ৰ এটা ঘন স্তৰ বিকশিত কৰিলোঁ। জৈৱিক হেলাইড লৱণ নিষ্ক্ৰিয়কাৰী যেনে ফেনাইলইথাইলএমোনিয়াম আয়'ডাইড (PEAI) আৰু n-অক্টাইলএমোনিয়াম আয়'ডাইড (OAI)ৰ তুলনাত, কোনো চলন্ত হেল'জেন আয়ন নথকা PbC2O4 ৰাসায়নিকভাৱে সুস্থিৰ, পানীত অদ্ৰৱণীয় আৰু উদ্দীপনা দিলে সহজে নিষ্ক্ৰিয় হয়। পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠৰ আৰ্দ্ৰতা আৰু বৈদ্যুতিক ক্ষেত্ৰৰ ভাল স্থিতিশীলতা। পানীত PbC2O4 ৰ দ্ৰৱণীয়তা মাত্ৰ ০.০০০৬৫ গ্ৰাম/লিটাৰ, যিটো PbSO428 তকৈও কম। তাতোকৈ গুৰুত্বপূৰ্ণ কথাটো হ’ল, ইন চিটু বিক্ৰিয়া ব্যৱহাৰ কৰি পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মত এল অ’ এছৰ ঘন আৰু একেধৰণৰ স্তৰ কোমলভাৱে প্ৰস্তুত কৰিব পাৰি (তলত চাওক)। 1. আমি পৰিপূৰক চিত্ৰ 1 ত দেখুওৱাৰ দৰে FAPbI3 আৰু PbC2O4ৰ মাজৰ আন্তঃপৃষ্ঠীয় বণ্ডিঙৰ DFT চিমুলেচন সম্পন্ন কৰিলোঁ। পৰিপূৰক সূচী 2 ত LOS ইনজেকচনৰ পিছত ত্ৰুটি গঠন শক্তি উপস্থাপন কৰা হৈছে। আমি দেখিলোঁ যে LOS এ কেৱল VI দোষৰ গঠন শক্তি 0.69–1.53 eV বৃদ্ধি কৰাই নহয় (চিত্ৰ 1d), কিন্তু প্ৰব্ৰজন পৃষ্ঠ আৰু প্ৰস্থান পৃষ্ঠত I ৰ সক্ৰিয়কৰণ শক্তিও বৃদ্ধি কৰে (চিত্ৰ 1e)। প্ৰথম পৰ্যায়ত I আয়নসমূহে পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠৰ কাষেৰে প্ৰব্ৰজন কৰে, যাৰ ফলত VI আয়নসমূহ ০.৬১ eV শক্তি বাধাৰ সৈতে জালিৰ অৱস্থাত থাকে। LOS প্ৰৱৰ্তনৰ পিছত ষ্টেৰিক বাধাৰ প্ৰভাৱৰ বাবে I আয়নৰ প্ৰব্ৰজনৰ বাবে সক্ৰিয়কৰণ শক্তি বৃদ্ধি পায়। ১.২৮ ইভি। পেৰ'ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠৰ পৰা ওলাই অহা I আয়নৰ প্ৰব্ৰজনৰ সময়ত VOC ত শক্তিৰ বাধাও নিয়ন্ত্ৰণ নমুনাতকৈ বেছি হয় (চিত্ৰ 1e)। নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS FAPbI3 ত I আয়ন প্ৰব্ৰজন পথৰ আঁচনিমূলক ডায়াগ্ৰাম ক্ৰমে চিত্ৰ 1 f আৰু g ত দেখুওৱা হৈছে। চিমুলেচনৰ ফলাফলত দেখা গৈছে যে LOS এ VI দোষৰ গঠন আৰু I ৰ বাষ্পীভৱন বাধা দিব পাৰে, যাৰ ফলত αৰ পৰা δ পৰ্যায়ৰ পৰিৱৰ্তনৰ নিউক্লিয়েশন ৰোধ কৰিব পাৰি।
অক্সালিক এচিড আৰু FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইটৰ মাজৰ বিক্ৰিয়া পৰীক্ষা কৰা হৈছিল। অক্সালিক এচিড আৰু FAPbI3 ৰ দ্ৰৱ মিহলোৱাৰ পিছত পৰিপূৰক চিত্ৰ ২ত দেখুওৱাৰ দৰে বৃহৎ পৰিমাণৰ বগা বৰফৰ সৃষ্টি হয়। এক্স-ৰে বিবৰ্তন (XRD) (পৰিপূৰক চিত্ৰ ৩) আৰু ফুৰিয়েৰ ট্ৰেন্সফৰ্ম ইনফ্ৰাৰেড স্পেকট্ৰস্কপি (FTIR) (পৰিপূৰক চিত্ৰ ৪) ব্যৱহাৰ কৰি গুড়ি উৎপাদনটোক বিশুদ্ধ PbC2O4 পদাৰ্থ হিচাপে চিনাক্ত কৰা হয়। আমি দেখিলোঁ যে অক্সালিক এচিড কোঠাৰ উষ্ণতাত আইছ'প্ৰ'পাইল এলক'হলত (IPA) অতি দ্ৰৱণীয় আৰু ইয়াৰ দ্ৰৱণীয়তা প্ৰায় ১৮ মিলিগ্ৰাম/মিলিলিটাৰ, পৰিপূৰক চিত্ৰ ৫ত দেখুওৱাৰ দৰে। গতিকে পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মটো অক্সালিক এচিডৰ দ্ৰৱত ডুবাই বা পেৰ’ভস্কাইটৰ ওপৰত অক্সালিক এচিডৰ দ্ৰৱটো স্পিন-কোটিং কৰিলে তলত দিয়া ৰাসায়নিক সমীকৰণ অনুসৰি পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ পৃষ্ঠত পাতল আৰু ঘন PbC2O4 দ্ৰুতভাৱে পোৱা যায়: H2C2O4 + FAPbI3 = PbC2O4 + FAI +HI। এফ এ আই আই পি এত দ্ৰৱীভূত কৰিব পাৰি আৰু এইদৰে ৰন্ধা সময়ত আঁতৰাই পেলাব পাৰি। বিক্ৰিয়াৰ সময় আৰু পূৰ্বসূৰীৰ ঘনত্বৰ দ্বাৰা LOS ৰ বেধ নিয়ন্ত্ৰণ কৰিব পাৰি।
নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মৰ স্কেনিং ইলেক্ট্ৰন মাইক্ৰস্কোপি (SEM) ছবি চিত্ৰ 2a,b ত দেখুওৱা হৈছে। ফলাফলসমূহে দেখুৱাইছে যে পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠৰ আকৃতি ভালদৰে সংৰক্ষিত, আৰু দানা পৃষ্ঠত বৃহৎ সংখ্যক মিহি কণা জমা হয়, যিয়ে স্থানীয় বিক্ৰিয়াৰ দ্বাৰা গঠিত PbC2O4 স্তৰক প্ৰতিনিধিত্ব কৰিব লাগে। এল অ’ এছ পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ পৃষ্ঠভাগ অলপ মসৃণ (পৰিপূৰক চিত্ৰ ৬) আৰু নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মৰ তুলনাত পানীৰ সংস্পৰ্শ কোণ ডাঙৰ (পৰিপূৰক চিত্ৰ ৭)। উচ্চ ৰিজ’লিউচন ট্ৰেন্সভাৰ্ছ ট্ৰেন্সমিছন ইলেক্ট্ৰন মাইক্ৰস্কোপি (HR-TEM) ব্যৱহাৰ কৰি পণ্যটোৰ পৃষ্ঠীয় স্তৰটো পৃথক কৰা হৈছিল। নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মৰ তুলনাত (চিত্ৰ ২c) এল অ' এছ পেৰ'ভস্কাইটৰ ওপৰত প্ৰায় ১০ এন এম ডাঠ এটা একে আৰু ঘন পাতল স্তৰ স্পষ্টকৈ দেখা যায় (চিত্ৰ ২d)। উচ্চ কোণৰ আনুলাৰ ডাৰ্ক-ফিল্ড স্কেনিং ইলেক্ট্ৰন মাইক্ৰস্কোপি (HAADF-STEM) ব্যৱহাৰ কৰি PbC2O4 আৰু FAPbI3ৰ মাজৰ সংযোগস্থল পৰীক্ষা কৰিলে FAPbI3ৰ স্ফটিকীয় অঞ্চল আৰু PbC2O4ৰ আকাৰহীন অঞ্চলৰ উপস্থিতি স্পষ্টভাৱে পৰ্যবেক্ষণ কৰিব পাৰি (পৰিপূৰক চিত্ৰ ৮)। অক্সালিক এচিড ট্ৰিটমেণ্টৰ পিছত পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠৰ গঠন এক্স-ৰে ফটোইলেক্ট্ৰন স্পেকট্ৰ’স্কপি (XPS) জোখৰ দ্বাৰা চিহ্নিত কৰা হৈছিল, যিটো চিত্ৰ ২e–gত দেখুওৱা হৈছে। চিত্ৰ ২eত ২৮৪.৮ eV আৰু ২৮৮.৫ eV ৰ ওচৰত C 1s শিখৰ ক্ৰমে নিৰ্দিষ্ট CC আৰু FA সংকেতৰ অন্তৰ্গত। নিয়ন্ত্ৰণ পৰ্দাৰ তুলনাত LOS পৰ্দাই ২৮৯.২ eV ত অতিৰিক্ত শিখৰ প্ৰদৰ্শন কৰে, যিটো C2O42- ৰ বাবে দায়ী। LOS পেৰ'ভস্কাইটৰ O 1s বৰ্ণালীয়ে 531.7 eV, 532.5 eV, আৰু 533.4 eV ত তিনিটা ৰাসায়নিকভাৱে সুকীয়া O 1s শিখৰ প্ৰদৰ্শন কৰে, যিবোৰ ডিপ্ৰ'টনেটেড COO, অক্ষত অক্সালেট গোট 30 আৰু OH উপাদানৰ O পৰমাণুৰ C=O ৰ সৈতে মিল খায় (চিত্ৰ 2e)। )). নিয়ন্ত্ৰণ নমুনাৰ বাবে মাত্ৰ এটা সৰু O 1s শিখৰহে দেখা গৈছিল, যিটো পৃষ্ঠত ৰাসায়নিক শোষিত অক্সিজেনৰ বাবে দায়ী কৰিব পাৰি। Pb 4f7/2 আৰু Pb 4f5/2 ৰ নিয়ন্ত্ৰণ পৰ্দাৰ বৈশিষ্ট্য ক্ৰমে ১৩৮.৪ eV আৰু ১৪৩.৩ eV ত অৱস্থিত। আমি পৰ্যবেক্ষণ কৰিলোঁ যে LOS perovskite এ Pb শিখৰৰ প্ৰায় 0.15 eV অধিক বান্ধনি শক্তিৰ দিশত স্থানান্তৰ প্ৰদৰ্শন কৰে, যিয়ে C2O42- আৰু Pb পৰমাণুৰ মাজত অধিক শক্তিশালী পাৰস্পৰিক ক্ৰিয়াৰ ইংগিত দিয়ে (চিত্ৰ 2g)।
নিয়ন্ত্ৰণৰ এটা SEM ছবি আৰু b LOS পেৰ'ভস্কাইট ফিল্ম, ওপৰৰ দৃশ্য। c নিয়ন্ত্ৰণ আৰু d LOS পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মৰ উচ্চ-ৰিজ'লিউচন ক্ৰছ-ছেকচনেল ট্ৰেন্সমিছন ইলেক্ট্ৰন মাইক্ৰস্কোপি (HR-TEM)। e C 1s, f O 1s আৰু g Pb 4f পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মৰ উচ্চ-ৰিজ'লিউচন XPS। উৎস তথ্য উৎস তথ্য ফাইলৰ আকাৰত প্ৰদান কৰা হয়।
ডি এফ টিৰ ফলাফল অনুসৰি তাত্ত্বিকভাৱে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰা হৈছে যে VI দোষ আৰু I প্ৰব্ৰজনে সহজেই αৰ পৰা δলৈ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন ঘটায়। পূৰ্বৰ প্ৰতিবেদনত দেখা গৈছে যে ফিল্মবোৰ পোহৰ আৰু তাপীয় চাপৰ সন্মুখীন হোৱাৰ পিছত ফটোবিমৰ্ষণৰ সময়ত পিচি ভিত্তিক পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ পৰা I2 দ্ৰুতগতিত মুক্ত হয়31,32,33। লিড অক্সালেটৰ পেৰ'ভস্কাইটৰ α-পৰ্যায়ৰ ওপৰত স্থিতিশীল প্ৰভাৱ নিশ্চিত কৰিবলৈ আমি নিয়ন্ত্ৰণ আৰু এল অ' এছ পেৰ'ভস্কাইট ফিল্ম ক্ৰমে টলুইন যুক্ত স্বচ্ছ কাঁচৰ বটলত ডুবাই দিলোঁ আৰু তাৰ পিছত ১টা সূৰ্য্যৰ পোহৰেৰে ২৪ ঘন্টা বিকিৰণ কৰিলোঁ। আমি অতিবেঙুনীয়া আৰু দৃশ্যমান পোহৰ (UV-Vis) শোষণ জুখিলোঁ। ) টলুইন দ্ৰৱ, চিত্ৰ ৩a ত দেখুওৱাৰ দৰে। নিয়ন্ত্ৰণ নমুনাৰ সৈতে তুলনা কৰিলে LOS-পেৰ’ভস্কাইটৰ ক্ষেত্ৰত I2 শোষণৰ তীব্ৰতা বহু কম হোৱা দেখা গৈছিল, ইয়াৰ পৰা বুজা যায় যে কমপেক্ট LOS এ পোহৰত ডুবাই ৰখাৰ সময়ত পেৰ’ভস্কাইটৰ ফিল্মৰ পৰা I2 মুক্ত হোৱাত বাধা দিব পাৰে। বয়সীয়াল নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মৰ ফটোগ্ৰাফ চিত্ৰ ৩b আৰু c ৰ ইনছেটত দেখুওৱা হৈছে। এল অ’ এছ পেৰ’ভস্কাইট এতিয়াও ক’লা, আনহাতে নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মৰ বেছিভাগেই হালধীয়া হৈ পৰিছে। ডুবাই ৰখা ফিল্মৰ UV–দৃশ্যমান শোষণ বৰ্ণালী চিত্ৰ 1 ত দেখুওৱা হৈছে। ৩খ, গ. আমি লক্ষ্য কৰিলোঁ যে নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মত α ৰ সৈতে মিল থকা শোষণ স্পষ্টভাৱে হ্ৰাস পাইছে। স্ফটিক গঠনৰ বিৱৰ্তনৰ নথিভুক্ত কৰিবলৈ এক্স-ৰে জোখ-মাখ কৰা হৈছিল। ২৪ ঘণ্টা আলোকিত কৰাৰ পিছত নিয়ন্ত্ৰণ পেৰ’ভস্কাইটে এটা শক্তিশালী হালধীয়া δ-ফেজ সংকেত (১১.৮°) দেখুৱাইছিল, আনহাতে এল অ’ এছ পেৰ’ভস্কাইটে এতিয়াও ভাল ক’লা ফেজ বজাই ৰাখিছিল (চিত্ৰ ৩d)।
টলুইন দ্ৰৱৰ UV-দৃশ্যমান শোষণ বৰ্ণালী য'ত নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্ম আৰু LOS ফিল্ম ১ সূৰ্যৰ পোহৰত ২৪ ঘণ্টা ডুবাই ৰখা হৈছিল। ইনছেটত এটা শিশি দেখুওৱা হৈছে য’ত প্ৰতিটো ফিল্ম সমান আয়তনৰ টলুইনত ডুবাই থোৱা হৈছিল। b নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্ম আৰু c LOS ফিল্মৰ UV-Vis শোষণ বৰ্ণালী ১ সূৰ্য্যৰ পোহৰত ২৪ ঘন্টা ডুবাই ৰখাৰ আগতে আৰু পিছত। ইনছেটত পৰীক্ষামূলক ছবিখনৰ ফটো দেখুওৱা হৈছে। d নিয়ন্ত্ৰণ আৰু এল অ' এছ ফিল্মৰ এক্স-ৰে বিবৰ্তন আৰ্হি ২৪ ঘণ্টাৰ সংস্পৰ্শৰ আগতে আৰু পিছত। ২৪ ঘণ্টাৰ পিছত নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্ম e আৰু ফিল্ম f LOS ৰ SEM ছবি। উৎস তথ্য উৎস তথ্য ফাইলৰ আকাৰত প্ৰদান কৰা হয়।
আমি চিত্ৰ ৩e,f ত দেখুওৱাৰ দৰে ২৪ ঘণ্টাৰ আলোকসজ্জাৰ পিছত পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ মাইক্ৰ’ষ্ট্ৰাকচাৰেল পৰিৱৰ্তন পৰ্যবেক্ষণ কৰিবলৈ স্কেনিং ইলেক্ট্ৰন মাইক্ৰস্কোপি (SEM) জোখ-মাখ কৰিলোঁ। নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মত ডাঙৰ ডাঙৰ দানাবোৰ ধ্বংস কৰি সৰু বেজীলৈ ৰূপান্তৰিত কৰা হৈছিল, যিবোৰ δ-পৰ্যায়ৰ উৎপাদন FAPbI3 (চিত্ৰ ৩e)ৰ আকৃতিৰ সৈতে মিল খাইছিল। LOS ফিল্মৰ বাবে পেৰ’ভস্কাইটৰ দানাবোৰ ভাল অৱস্থাত থাকে (চিত্ৰ ৩f)। ফলাফলসমূহে নিশ্চিত কৰিলে যে I ৰ ক্ষতিৰ ফলত ক'লা পৰ্যায়ৰ পৰা হালধীয়া পৰ্যায়লৈ পৰিৱৰ্তন যথেষ্ট পৰিমাণে প্ৰৰোচিত হয়, আনহাতে PbC2O4 এ ক'লা পৰ্যায়টোক স্থিৰ কৰি I ৰ ক্ষতি ৰোধ কৰে। যিহেতু পৃষ্ঠত খালী ঠাইৰ ঘনত্ব শস্যৰ ডাঙৰ অংশতকৈ বহু বেছি,34 এই পৰ্যায়টো শস্যৰ পৃষ্ঠত হোৱাৰ সম্ভাৱনা বেছি। একেলগে আয়'ডিন মুক্ত কৰি VI গঠন কৰে। ডি এফ টিয়ে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰা অনুসৰি এল অ’ এছে VI দোষৰ গঠনত বাধা দিব পাৰে আৰু পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠলৈ I আয়নৰ প্ৰব্ৰজন ৰোধ কৰিব পাৰে।
ইয়াৰ উপৰিও বায়ুমণ্ডলীয় বায়ুত পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ আৰ্দ্ৰতা প্ৰতিৰোধ ক্ষমতাৰ ওপৰত PbC2O4 স্তৰৰ প্ৰভাৱ (আপেক্ষিক আৰ্দ্ৰতা ৩০-৬০%) অধ্যয়ন কৰা হৈছিল। পৰিপূৰক চিত্ৰ ৯ত দেখুওৱাৰ দৰে ১২ দিনৰ পিছতো এল অ’ এছ পেৰ’ভস্কাইট ক’লা আছিল, আনহাতে নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্ম হালধীয়া হৈ পৰিছিল। XRD জোখত নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মে FAPbI3 ৰ δ পৰ্যায়ৰ সৈতে মিল থকা 11.8° ত এটা শক্তিশালী শিখৰ দেখুৱায়, আনহাতে LOS পেৰ'ভস্কাইটে ক'লা α পৰ্যায়টো ভালদৰে ধৰি ৰাখে (পৰিপূৰক চিত্ৰ 10)।
পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠত সীহৰ অক্সালেটৰ নিষ্ক্ৰিয়কৰণ প্ৰভাৱ অধ্যয়ন কৰিবলৈ ষ্টেডি-ষ্টেট ফটোলুমিনেচেন্স (PL) আৰু টাইম-ৰিজ’লভড ফটোলুমিনেচেন্স (TRPL) ব্যৱহাৰ কৰা হৈছিল। চিত্ৰ ৪a ত দেখুওৱা হৈছে যে LOS ফিল্মৰ PL তীব্ৰতা বৃদ্ধি পাইছে। PL মেপিং ছবিত, 10 × 10 μm2 ৰ সমগ্ৰ অঞ্চলত LOS ফিল্মৰ তীব্ৰতা নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মতকৈ বেছি (পৰিপূৰক চিত্ৰ 11), ইয়াৰ পৰা বুজা যায় যে PbC2O4 এ পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মক একেদৰে নিষ্ক্ৰিয় কৰে। বাহকৰ জীৱনকাল নিৰ্ণয় কৰা হয় এটা ঘাতীয় ফলনৰ সৈতে TRPL ক্ষয়ৰ আনুমানিক কৰি (চিত্ৰ ৪b)। LOS ফিল্মৰ বাহক জীৱনকাল ৫.২ μs, যিটো ০.৯ μs বাহক জীৱনকাল থকা নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মতকৈ বহু বেছি, যিয়ে পৃষ্ঠৰ অবিকিৰণীয় পুনঃসংমিশ্ৰণ হ্ৰাস পোৱাৰ ইংগিত দিয়ে।
কাঁচৰ ছাবষ্ট্ৰেটৰ ওপৰত পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মৰ অস্থায়ী পিএলৰ স্থিৰ অৱস্থাৰ পিএল আৰু বি-বৰ্ণালী। c ডিভাইচৰ SP বক্ৰ (FTO/TiO2/SnO2/পেৰ'ভস্কাইট/স্পাইৰ'-OMeTAD/Au)। d EQE স্পেকট্ৰম আৰু Jsc EQE স্পেকট্ৰম আটাইতকৈ কাৰ্যক্ষম ডিভাইচৰ পৰা সংহত কৰা হৈছে। d Voc ডায়াগ্ৰামৰ ওপৰত পেৰ’ভস্কাইট যন্ত্ৰৰ পোহৰৰ তীব্ৰতাৰ নিৰ্ভৰশীলতা। f এটা ITO/PEDOT:PSS/perovskite/PCBM/Au পৰিষ্কাৰ ফুটা ডিভাইচ ব্যৱহাৰ কৰি সাধাৰণ MKRC বিশ্লেষণ। ভিটিএফএল হৈছে সৰ্বোচ্চ ট্ৰেপ ভৰোৱা ভল্টেজ। এই তথ্যৰ পৰা আমি ফান্দৰ ঘনত্ব (Nt) গণনা কৰিলোঁ। উৎস তথ্য উৎস তথ্য ফাইলৰ আকাৰত প্ৰদান কৰা হয়।
ডিভাইচৰ কাৰ্য্যক্ষমতাৰ ওপৰত সীহৰ অক্সালেট স্তৰৰ প্ৰভাৱ অধ্যয়ন কৰিবলৈ এটা পৰম্পৰাগত FTO/TiO2/SnO2/perovskite/spiro-OMeTAD/Au সংস্পৰ্শ গঠন ব্যৱহাৰ কৰা হৈছিল। আমি উন্নত ডিভাইচৰ কাৰ্য্যক্ষমতা লাভ কৰিবলৈ মিথাইলামাইন হাইড্ৰ'ক্লৰাইড (MACl)ৰ পৰিৱৰ্তে পেৰ'ভস্কাইট পূৰ্বসূৰীৰ সংযোজক হিচাপে ফৰ্মেমিডিন ক্লৰাইড (FACl) ব্যৱহাৰ কৰো, যিহেতু FACl এ উন্নত স্ফটিক মান প্ৰদান কৰিব পাৰে আৰু FAPbI335 ৰ বেণ্ড ফাঁক এৰাই চলিব পাৰে (বিশদ তুলনাৰ বাবে পৰিপূৰক চিত্ৰ 1 আৰু 2 চাওক)। ). ১২-১৪)। আইপিএক এন্টিছলভেণ্ট হিচাপে বাছি লোৱা হৈছিল কাৰণ ই ডাইথাইল ইথাৰ (DE) বা ক্ল'ৰ'বেঞ্জিন (CB)36 ৰ তুলনাত পেৰ'ভস্কাইট ফিল্মত উন্নত স্ফটিক মান আৰু পছন্দৰ অভিমুখীতা প্ৰদান কৰে (পৰিপূৰক চিত্ৰ ১৫ আৰু ১৬)। অক্সালিক এচিডৰ ঘনত্ব সামঞ্জস্য কৰি ত্ৰুটি নিষ্ক্ৰিয়কৰণ আৰু আধান পৰিবহণৰ ভাৰসাম্য ৰক্ষা কৰিবলৈ PbC2O4ৰ বেধ সাৱধানে অনুকূল কৰা হৈছিল (পৰিপূৰক চিত্ৰ ১৭)। অনুকূলিত নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS ডিভাইচসমূহৰ ক্ৰছ-ছেকচনেল SEM ছবিসমূহ পৰিপূৰক চিত্ৰ 18 ত দেখুওৱা হৈছে। নিয়ন্ত্ৰণ আৰু LOS ডিভাইচসমূহৰ বাবে সাধাৰণ কাৰেণ্ট ঘনত্ব (CD) বক্ৰসমূহ চিত্ৰ 4c ত দেখুওৱা হৈছে, আৰু নিষ্কাষিত প্ৰাচলসমূহ পৰিপূৰক সূচী 3 ত দিয়া হৈছে। সৰ্বোচ্চ শক্তি ৰূপান্তৰ কাৰ্যক্ষমতা (PCE) নিয়ন্ত্ৰণ কোষসমূহ 23.43% (22.94%), Jsc ২৫.৭৫ মিলি এ চে.মি.-২ (২৫.৭৪ এম এ চে.মি.-২), Voc ১.১৬ ভি (১.১৬ ভি) আৰু ৰিভাৰ্ছ (ফৰৱাৰ্ড) স্কেন। ভৰোৱা কাৰক (FF) ৭৮.৪০% (৭৬.৬৯%)। সৰ্বোচ্চ PCE LOS PSC ২৫.৩৯% (২৪.৭৯%), Jsc ২৫.৭৭ mA cm-2, Voc ১.১৮ V, FF ৮৩.৫০% (৮১.৫২%) ৰিভাৰ্ছৰ পৰা (forward Scan to)। এল অ’ এছ ডিভাইচে এটা বিশ্বাসযোগ্য তৃতীয় পক্ষৰ ফটোভল্টিক পৰীক্ষাগাৰত ২৪.৯২% প্ৰমাণিত ফটোভল্টিক প্ৰদৰ্শন লাভ কৰিছিল (পৰিপূৰক চিত্ৰ ১৯)। বাহ্যিক কোৱাণ্টাম কাৰ্যক্ষমতাই (EQE) ক্ৰমে 24.90 mA cm-2 (নিয়ন্ত্ৰণ) আৰু 25.18 mA cm-2 (LOS PSC) ৰ সংহত Jsc দিছিল, যিটো মানক AM 1.5 G বৰ্ণালীত জুখি উলিওৱা Jsc ৰ সৈতে ভালদৰে মিল আছিল (চিত্ৰ .4d)। ) . নিয়ন্ত্ৰণ আৰু এলঅ'এছ পিএছচিসমূহৰ বাবে জুখি উলিওৱা পিচিইসমূহৰ পৰিসংখ্যাগত বিতৰণ পৰিপূৰক চিত্ৰ ২০ত দেখুওৱা হৈছে।
চিত্ৰ ৪eত দেখুওৱাৰ দৰে, ফান্দ-সহায়ক পৃষ্ঠ পুনঃসংমিশ্ৰণৰ ওপৰত PbC2O4ৰ প্ৰভাৱ অধ্যয়ন কৰিবলৈ Voc আৰু পোহৰৰ তীব্ৰতাৰ মাজৰ সম্পৰ্ক গণনা কৰা হৈছিল। LOS ডিভাইচৰ বাবে ফিট কৰা লাইনৰ ঢাল ১.১৬ kBT/বৰ্গ, যিটো নিয়ন্ত্ৰণ ডিভাইচৰ বাবে ফিট কৰা লাইনৰ ঢালতকৈ কম (১.৩১ kBT/sq), যিয়ে নিশ্চিত কৰে যে LOS ডিক’ইৰ দ্বাৰা পৃষ্ঠৰ পুনঃসংমিশ্ৰণক বাধা দিয়াৰ বাবে উপযোগী। আমি চিত্ৰত দেখুওৱাৰ দৰে ফুটা যন্ত্ৰৰ (ITO/PEDOT:PSS/perovskite/spiro-OMeTAD/Au) গাঢ় IV বৈশিষ্ট্য জুখি পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ ত্ৰুটি ঘনত্ব পৰিমাণগতভাৱে জুখিবলৈ স্পেচ চাৰ্জ কাৰেণ্ট লিমিটিং (SCLC) প্ৰযুক্তি ব্যৱহাৰ কৰো। ৪f দেখুৱাওক। ফান্দৰ ঘনত্ব Nt = 2ε0εVTFL/eL2 সূত্ৰৰে গণনা কৰা হয়, য’ত ε হৈছে পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ আপেক্ষিক ডাইলেক্ট্ৰিক ধ্ৰুৱক, ε0 হৈছে ভেকুৱামৰ ডাইলেক্ট্ৰিক ধ্ৰুৱক, VTFL হৈছে ফান্দটো ভৰোৱাৰ বাবে সীমিত ভল্টেজ, e হৈছে আধান, L হৈছে পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ বেধ (650 nm)। VOC ডিভাইচৰ ত্ৰুটি ঘনত্ব ১.৪৫০ × ১০১৫ চে.মি.–৩ বুলি গণনা কৰা হয়, যিটো নিয়ন্ত্ৰণ যন্ত্ৰৰ ত্ৰুটি ঘনত্বতকৈ কম, যিটো ১.৭৯৫ × ১০১৫ চে.মি.–৩।
পেকেজ নকৰা ডিভাইচটোক নাইট্ৰজেনৰ তলত সম্পূৰ্ণ দিনৰ পোহৰত সৰ্বোচ্চ শক্তি বিন্দুত (MPP) পৰীক্ষা কৰি ইয়াৰ দীৰ্ঘম্যাদী কাৰ্য্যক্ষমতাৰ স্থিৰতা পৰীক্ষা কৰা হৈছিল (চিত্ৰ ৫a)। ৫৫০ ঘণ্টাৰ পাছতো LOS ডিভাইচে ইয়াৰ সৰ্বোচ্চ কাৰ্যক্ষমতাৰ ৯২% বজাই ৰাখিছিল, আনহাতে নিয়ন্ত্ৰণ ডিভাইচৰ পৰিৱেশন ইয়াৰ মূল কাৰ্য্যক্ষমতাৰ ৬০% লৈ হ্ৰাস পাইছিল। পুৰণি যন্ত্ৰটোত থকা মৌলৰ বিতৰণ উৰণৰ সময় গৌণ আয়ন গণ বৰ্ণালীবিজ্ঞান (ToF-SIMS) দ্বাৰা জুখিছিল (চিত্ৰ ৫b, c)। ওপৰৰ সোণ নিয়ন্ত্ৰণ এলেকাত আয়’ডিনৰ বৃহৎ সঞ্চয় দেখা যায়। নিষ্ক্ৰিয় গেছৰ সুৰক্ষাৰ অৱস্থাই আৰ্দ্ৰতা আৰু অক্সিজেনৰ দৰে পৰিৱেশ অৱক্ষয়কাৰী কাৰকসমূহ বাদ দিয়ে, যাৰ পৰা অনুমান কৰিব পাৰি যে আভ্যন্তৰীণ ব্যৱস্থা (অৰ্থাৎ আয়ন প্ৰব্ৰজন) দায়ী। ToF-SIMS ফলাফল অনুসৰি Au ইলেক্ট্ৰ'ডত I- আৰু AuI2- আয়ন ধৰা পৰিছিল, যিয়ে পেৰ'ভস্কাইটৰ পৰা Au লৈ I ৰ প্ৰসাৰণৰ ইংগিত দিয়ে। নিয়ন্ত্ৰণ যন্ত্ৰত I- আৰু AuI2- আয়নৰ সংকেতৰ তীব্ৰতা VOC নমুনাতকৈ প্ৰায় ১০ গুণ বেছি। পূৰ্বৰ প্ৰতিবেদনসমূহে দেখুৱাইছে যে আয়ন পাৰ্মিয়নে স্পাইৰ'-OMeTAD ৰ ফুটাৰ পৰিবাহীতা দ্ৰুতভাৱে হ্ৰাস কৰিব পাৰে আৰু ওপৰৰ ইলেক্ট্ৰ'ড স্তৰৰ ৰাসায়নিক জাৰণ ঘটাব পাৰে, যাৰ ফলত ডিভাইচটোৰ আন্তঃপৃষ্ঠীয় সংস্পৰ্শৰ অৱনতি ঘটে37,38। Au ইলেক্ট্ৰ’ড আঁতৰাই ক্ল’ৰ’বেঞ্জিন দ্ৰৱৰ দ্বাৰা ছাবষ্ট্ৰেটৰ পৰা স্পাইৰ’-OMeTAD স্তৰটো পৰিষ্কাৰ কৰা হ’ল। তাৰ পিছত আমি চৰণীয়া প্ৰাদুৰ্ভাৱ এক্স-ৰে বিবৰ্তন (GIXRD) ব্যৱহাৰ কৰি ফিল্মখনৰ বৈশিষ্ট্য নিৰ্ণয় কৰিলোঁ (চিত্ৰ ৫d)। ফলাফলত দেখা গৈছে যে নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মখনৰ ১১.৮° ত স্পষ্ট বিবৰ্তন শিখৰ থাকে, আনহাতে এল অ’ এছ নমুনাত কোনো নতুন বিবৰ্তন শিখৰ দেখা নাযায়। ফলাফলত দেখা গৈছে যে নিয়ন্ত্ৰণ ফিল্মত I আয়নৰ বৃহৎ ক্ষতিৰ ফলত δ পৰ্যায়ৰ সৃষ্টি হয়, আনহাতে LOS ফিল্মত এই প্ৰক্ৰিয়াটো স্পষ্টভাৱে বাধাপ্ৰাপ্ত হয়।
নাইট্ৰজেন বায়ুমণ্ডলত আৰু ইউভি ফিল্টাৰ অবিহনে ১ সূৰ্যৰ পোহৰত এটা ছীল নোহোৱা ডিভাইচৰ ৫৭৫ ঘণ্টা অবিৰত এমপিপি ট্ৰেকিং। LOS MPP নিয়ন্ত্ৰণ ডিভাইচ আৰু বয়স বৃদ্ধি ডিভাইচত b I- আৰু c AuI2- আয়নৰ ToF-SIMS বিতৰণ। হালধীয়া, সেউজীয়া আৰু কমলা ৰঙৰ ছাঁবোৰ Au, Spiro-OMeTAD আৰু পেৰ’ভস্কাইটৰ সৈতে মিল খায়। d এমপিপি পৰীক্ষাৰ পিছত পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ GIXRD। উৎস তথ্য উৎস তথ্য ফাইলৰ আকাৰত প্ৰদান কৰা হয়।
তাপমাত্ৰা-নিৰ্ভৰশীল পৰিবাহীতা জুখি নিশ্চিত কৰা হৈছিল যে PbC2O4 এ আয়ন প্ৰব্ৰজনক বাধা দিব পাৰে (পৰিপূৰক চিত্ৰ ২১)। আয়ন প্ৰব্ৰজনৰ সক্ৰিয়কৰণ শক্তি (Ea) বিভিন্ন উষ্ণতাত (T) FAPbI3 ফিল্মৰ পৰিবাহীতাৰ পৰিৱৰ্তন (σ) জুখি আৰু নেৰ্নষ্ট-আইনষ্টাইন সম্পৰ্ক ব্যৱহাৰ কৰি নিৰ্ণয় কৰা হয়: σT = σ0exp(−Ea/kBT), য’ত σ0 এটা ধ্ৰুৱক, kB হৈছে বোল্টজমেন ধ্ৰুৱক। আমি ln(σT) বনাম 1/T ৰ ঢালৰ পৰা Ea ৰ মান পাওঁ, যিটো নিয়ন্ত্ৰণৰ বাবে 0.283 eV আৰু LOS ডিভাইচৰ বাবে 0.419 eV।
সামৰণিত ক’বলৈ গ’লে আমি FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইটৰ অৱক্ষয় পথ আৰু α-δ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তনৰ শক্তি বাধাৰ ওপৰত বিভিন্ন দোষৰ প্ৰভাৱ চিনাক্ত কৰিবলৈ এটা তাত্ত্বিক কাঠামো প্ৰদান কৰোঁ। এই দোষসমূহৰ ভিতৰত VI দোষসমূহে সহজেই αৰ পৰা δলৈ পৰ্যায় পৰিৱৰ্তন ঘটাব বুলি তাত্ত্বিকভাৱে ভৱিষ্যদ্বাণী কৰা হৈছে। I খালী স্থানৰ গঠন আৰু I আয়নৰ প্ৰব্ৰজনত বাধা দি FAPbI3 ৰ α-পৰ্যায় স্থিতিশীল কৰিবলৈ PbC2O4ৰ পানীত অদ্ৰৱণীয় আৰু ৰাসায়নিকভাৱে সুস্থিৰ ঘন স্তৰ প্ৰৱৰ্তন কৰা হয়। এই কৌশলে আন্তঃপৃষ্ঠীয় অবিকিৰণীয় পুনঃসংমিশ্ৰণ যথেষ্ট হ্ৰাস কৰে, সৌৰকোষৰ কাৰ্যক্ষমতা ২৫.৩৯% লৈ বৃদ্ধি কৰে, আৰু পৰিচালনাৰ স্থিৰতা উন্নত কৰে। আমাৰ ফলাফলসমূহে ত্ৰুটি-প্ৰৰোচিত αৰ পৰা δ পৰ্যায়ৰ পৰিৱৰ্তনক বাধা দি দক্ষ আৰু সুস্থিৰ ফৰ্মেমিডিন পিএছচিসমূহ লাভ কৰাৰ বাবে নিৰ্দেশনা প্ৰদান কৰে।
টাইটানিয়াম(IV) আইছ’প্ৰ’প’ক্সাইড (TTIP, 99.999%) চিগমা-এলড্ৰিচৰ পৰা ক্ৰয় কৰা হৈছিল। হাইড্ৰক্লৰিক এচিড (HCl, ৩৫.০–৩৭.০%) আৰু ইথানল (জলহীন) গুৱাংঝৌ ৰাসায়নিক উদ্যোগৰ পৰা ক্ৰয় কৰা হৈছিল। আলফা এজাৰৰ পৰা SnO2 (১৫ wt% টিন(IV) অক্সাইড কলয়ডাল বিক্ষিপ্তকৰণ) ক্ৰয় কৰা হৈছিল। লিড(II) আয়’ডাইড (PbI2, 99.99%) টিচিআই চাংহাই (চীন)ৰ পৰা ক্ৰয় কৰা হৈছিল। ফৰ্মামাইডিন আয়'ডাইড (FAI, ≥99.5%), ফৰ্মেমিডিন ক্লৰাইড (FACl, ≥99.5%), মিথাইলামাইন হাইড্ৰক্লৰাইড (MACl, ≥99.5%), 2,2′,7,7′-টেট্ৰাকিছ-(N , N-di-p) )-মিথ’ক্সিএনিলিন)-9,9′-স্পাইৰ’বিফ্ল’ৰিন (Spiro-OMETAD, ≥৯৯.৫%), লিথিয়াম বিছ(ট্ৰাইফ্ল’ৰ’মিথেন)ছালফ’নিলিমাইড (Li-TFSI, ৯৯.৯৫%), ৪-টাৰ্ট -বুটাইলপাইৰিডিন (tBP, ৯৬%) জিয়ান পলিমাৰ লাইট টেকন’লজি কোম্পানী (চীন)ৰ পৰা ক্ৰয় কৰা হৈছিল। এন,এন-ডাইমিথাইলফৰ্মামাইড (ডি এম এফ, ৯৯.৮%), ডাইমিথাইল ছালফ’ক্সাইড (ডি এম এছ অ’, ৯৯.৯%), আইছ’প্ৰ’পাইল এলক’হল (আই পি এ, ৯৯.৮%), ক্ল’ৰ’বেনজিন (চি বি, ৯৯.৮%), এচিট’নাইট্ৰাইল (এ চি এন)। চিগমা-এলড্ৰিচৰ পৰা ক্ৰয় কৰা হৈছে। মেকলিনৰ পৰা অক্সালিক এচিড (H2C2O4, 99.9%) ক্ৰয় কৰা হৈছিল। সকলো ৰাসায়নিক পদাৰ্থ আন কোনো পৰিৱৰ্তন নকৰাকৈয়ে লাভ কৰা ধৰণে ব্যৱহাৰ কৰা হৈছিল।
আইটিঅ' বা এফটিঅ' ছাবষ্ট্ৰেট (১.৫ × ১.৫ চে.মি.) ক্ৰমে ১০ মিনিটৰ বাবে ডিটাৰজেন্ট, এচিটন, আৰু ইথানলৰ সৈতে আল্ট্ৰাছ'নিকভাৱে পৰিষ্কাৰ কৰা হৈছিল আৰু তাৰ পিছত নাইট্ৰজেন ষ্ট্ৰিমৰ অধীনত শুকুৱাই লোৱা হৈছিল। ৫০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত ৬০ মিনিটৰ বাবে ইথানলত (১/২৫, v/v) টাইটানিয়াম ডাইআইছ’প্ৰ’পক্সিবিছ(এচিটাইলেচিটনেট)ৰ দ্ৰৱ ব্যৱহাৰ কৰি এটা ঘন TiO2 বাধা স্তৰ জমা কৰা হৈছিল। SnO2 কলয়ডাল বিক্ষিপ্তকৰণক বিআয়নীকৃত পানীৰে ১:৫ আয়তন অনুপাতত পাতল কৰা হৈছিল। ২০ মিনিটৰ বাবে UV অ’জনেৰে শোধন কৰা পৰিষ্কাৰ ছাবষ্ট্ৰেটত SnO2 নেনোকণাসমূহৰ পাতল ফিল্ম এখন ৪০০০ আৰ পি এমত ৩০ ছেকেণ্ডৰ বাবে জমা কৰা হৈছিল আৰু তাৰ পিছত ১৫০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত ৩০ মিনিটৰ বাবে প্ৰিহিট কৰা হৈছিল। পেৰ’ভস্কাইট প্ৰিকাৰচৰ দ্ৰৱৰ বাবে ২৭৫.২ মিলিগ্ৰাম FAI, ৭৩৭.৬ মিলিগ্ৰাম PbI2 আৰু FACl (২০ মল%) DMF/DMSO (১৫/১) মিশ্ৰিত দ্রাৱকত দ্ৰৱীভূত কৰা হৈছিল। পেৰ’ভস্কাইট স্তৰটো UV-অ’জন-চিকিৎসা কৰা SnO2 স্তৰৰ ওপৰত ৪০ μL পেৰ’ভস্কাইট প্ৰিকাৰচাৰ দ্ৰৱণ ৫০০০ আৰ পি এমত পৰিৱেশৰ বায়ুত ২৫ ছেকেণ্ডৰ বাবে কেন্দ্ৰচালিত কৰি প্ৰস্তুত কৰা হৈছিল। শেষবাৰৰ বাবে ৫ ছেকেণ্ডৰ পিছত ৫০ μL MACl IPA দ্ৰৱ (৪ মিলিগ্ৰাম/মিলিলিটাৰ) দ্ৰুতভাৱে ছাবষ্ট্ৰেটৰ ওপৰত এন্টিছলভেণ্ট হিচাপে ড্ৰপ কৰা হ’ল। তাৰ পিছত সদ্য প্ৰস্তুত কৰা ফিল্মবোৰ ১৫০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত ২০ মিনিট আৰু তাৰ পিছত ১০০ ডিগ্ৰী চেলছিয়াছত ১০ মিনিট এনিয়েল কৰা হ’ল। পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মটো কোঠাৰ উষ্ণতালৈ ঠাণ্ডা কৰাৰ পিছত H2C2O4 দ্ৰৱ (১ মিলিলিটাৰ আইপিএত দ্ৰৱীভূত ১, ২, ৪ মিলিগ্ৰাম) ৪০০০ আৰপিএমত ৩০ ছেকেণ্ডৰ বাবে কেন্দ্ৰচালিত কৰি পেৰ’ভস্কাইটৰ পৃষ্ঠভাগ নিষ্ক্ৰিয় কৰা হ’ল। ৭২.৩ মিলিগ্ৰাম স্পাইৰ’-OMeTAD, ১ মিলিলিটাৰ চিবি, ২৭ μl tBP আৰু ১৭.৫ μl Li-TFSI (১ মিলিলিটাৰ এচিট’নাইট্ৰাইলত ৫২০ মিলিগ্ৰাম) মিহলাই প্ৰস্তুত কৰা এটা স্পাইৰ’-OMeTAD দ্ৰৱক ৩০ ছেকেণ্ডৰ ভিতৰত ৪০০০ আৰ পি এমত ফিল্মৰ ওপৰত স্পিন-কোট কৰা হৈছিল। শেষত 100 nm ডাঠ Au স্তৰ এটা শূন্যতাত 0.05 nm/s (0~1 nm), 0.1 nm/s (2~15 nm) আৰু 0.5 nm/s (16~100 nm) হাৰত বাষ্পীভৱন কৰা হয়। ).
পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষৰ এছ চি কাৰ্য্যক্ষমতা সৌৰ চিমুলেটৰ আলোকসজ্জাৰ অধীনত (SS-X50) কিথলি ২৪০০ মিটাৰ ব্যৱহাৰ কৰি ১০০ মিলিৱাট/চে.মি. অন্যথা উল্লেখ নকৰালৈকে, SP বক্ৰসমূহ কোঠাৰ উষ্ণতাত (~25°C) ফৰৱাৰ্ড আৰু ৰিভাৰ্ছ স্কেন মোডত (ভোল্টেজ ষ্টেপ 20 mV, বিলম্বৰ সময় 10 ms) নাইট্ৰজেন ভৰ্তি গ্লভছ বক্সত জুখিছিল। জুখি উলিওৱা পিএছচিৰ বাবে ০.০৬৭ চে.মি. ডিভাইচটোৰ ওপৰত কেন্দ্ৰীভূত একৰঙী পোহৰৰ সৈতে PVE300-IVT210 ব্যৱস্থা (Industrial Vision Technology(s) Pte Ltd) ব্যৱহাৰ কৰি পৰিৱেশৰ বায়ুত EQE জোখ-মাখ কৰা হৈছিল। ডিভাইচৰ স্থিৰতাৰ বাবে, নন-এনকেপচুলেটেড সৌৰকোষৰ পৰীক্ষা নাইট্ৰজেন গ্লভবক্সত ১০০ মিলিৱাট/চে.মি.২ চাপত ইউভি ফিল্টাৰ অবিহনে কৰা হৈছিল। ToF-SIMS PHI nanoTOFII উৰণৰ সময় SIMS ব্যৱহাৰ কৰি জুখিব পাৰি। ৪০০×৪০০ মাইক্ৰ’মিটাৰ ক্ষেত্ৰফলৰ ৪ কেভি Ar আয়ন গান ব্যৱহাৰ কৰি গভীৰতা প্ৰফাইলিং কৰা হৈছিল।
এক্স-ৰে ফটোইলেক্ট্ৰন স্পেকট্ৰস্কপি (XPS) জোখ-মাখ থাৰ্মো-ভিজি চাইন্টিফিক চিষ্টেম (ESCALAB 250)ত মনোক্ৰ’মেটাইজড Al Kα (এক্সপিএছ মোডৰ বাবে) ব্যৱহাৰ কৰি 5.0 × 10–7 Pa চাপত কৰা হৈছিল। পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মৰ পৃষ্ঠৰ আকৃতি আৰু ৰুক্ষতা পৰমাণু বল মাইক্ৰস্কোপি (AFM) (Bruker Dimension FastScan) ব্যৱহাৰ কৰি জুখিছিল। STEM আৰু HAADF-STEM FEI টাইটান থেমিছ STEM ত অনুষ্ঠিত হয়। UV–Vis শোষণ বৰ্ণালী জুখিছিল UV-3600Plus (Shimadzu Corporation) ব্যৱহাৰ কৰি। স্পেচ চাৰ্জ লিমিটিং কাৰেণ্ট (SCLC) কিথলী ২৪০০ মিটাৰত ৰেকৰ্ড কৰা হৈছিল। বাহক জীৱনকালৰ ক্ষয়ৰ ষ্টেডি-ষ্টেট ফটোলুমিনেচেন্স (PL) আৰু টাইম-ৰিজ’লভড ফটোলুমিনেচেন্স (TRPL) FLS 1000 ফটোলুমিনেচেন্স স্পেকট্ৰ’মিটাৰ ব্যৱহাৰ কৰি জুখিছিল। পি এল মেপিং ছবিসমূহ হৰিবা লেবৰাম ৰমন ব্যৱস্থা এইচ আৰ ইভলিউচন ব্যৱহাৰ কৰি জুখিছিল। থাৰ্মো-ফিচাৰ নিকোলেট এনএক্সআৰ ৯৬৫০ ব্যৱস্থা ব্যৱহাৰ কৰি ফুৰিয়েৰ ট্ৰেন্সফৰ্ম ইনফ্ৰাৰেড স্পেকট্ৰস্কপি (এফটিআইআৰ) কৰা হৈছিল।
এই কামত আমি α-ফেজৰ পৰা δ-ফেজলৈ ফেজ পৰিৱৰ্তন পথ অধ্যয়ন কৰিবলৈ SSW পথৰ নমুনা সংগ্ৰহ পদ্ধতি ব্যৱহাৰ কৰো। SSW পদ্ধতিত সম্ভাৱ্য শক্তি পৃষ্ঠৰ গতি ৰেণ্ডম কোমল ধৰণৰ দিশৰ দ্বাৰা নিৰ্ধাৰণ কৰা হয় (দ্বিতীয় ডেৰাইভেটিভ), যিয়ে সম্ভাৱ্য শক্তি পৃষ্ঠৰ বিশদ আৰু বস্তুনিষ্ঠ অধ্যয়নৰ অনুমতি দিয়ে। এই কামত ৭২ পৰমাণুৰ ছুপাৰচেলত পথৰ নমুনা সংগ্ৰহ কৰা হয়, আৰু ডি এফ টি স্তৰত ১০০ টাতকৈ অধিক প্ৰাৰম্ভিক/চূড়ান্ত অৱস্থা (IS/FS) যোৰ সংগ্ৰহ কৰা হয়। IS/FS যোৰভিত্তিক তথ্যৰ সমষ্টিৰ ভিত্তিত পৰমাণুৰ মাজৰ মিলৰ সৈতে প্ৰাৰম্ভিক গঠন আৰু চূড়ান্ত গঠন সংযোগ কৰা পথ নিৰ্ধাৰণ কৰিব পাৰি, আৰু তাৰ পিছত পৰিৱৰ্তনশীল একক পৃষ্ঠৰ কাষেৰে দুমুখীয়া গতি ব্যৱহাৰ কৰি পৰিৱৰ্তন অৱস্থা পদ্ধতি মসৃণভাৱে নিৰ্ণয় কৰা হয়। (ভি কে-ডি ই এছ ভি)। পৰিৱৰ্তন অৱস্থা বিচাৰি উলিওৱাৰ পিছত শক্তিৰ বাধাসমূহৰ ৰেংকিং কৰি আটাইতকৈ কম বাধা থকা পথটো নিৰ্ণয় কৰিব পাৰি।
সকলো DFT গণনা VASP (সংস্কৰণ 5.3.5) ব্যৱহাৰ কৰি কৰা হৈছিল, য'ত C, N, H, Pb, আৰু I পৰমাণুৰ ইলেক্ট্ৰন–আয়ন পাৰস্পৰিক ক্ৰিয়াক এটা প্ৰক্ষেপিত পৰিবৰ্ধিত তৰংগ (PAW) আঁচনিৰ দ্বাৰা প্ৰতিনিধিত্ব কৰা হয়। বিনিময় সম্পৰ্ক ফলনটো পাৰ্ডু-বাৰ্ক-আৰ্নজাৰহফ পেৰামিটাৰাইজেচনত সাধাৰণীকৃত গ্ৰেডিয়েণ্ট আনুমানিককৰণৰ দ্বাৰা বৰ্ণনা কৰা হয়। সমতল তৰংগৰ বাবে শক্তিৰ সীমা ৪০০ ইভি হিচাপে নিৰ্ধাৰণ কৰা হৈছিল। Monkhorst–Pack k-পইণ্ট গ্ৰীডৰ আকাৰ (2 × 2 × 1)। সকলো গঠনৰ বাবে, জালি আৰু পাৰমাণৱিক অৱস্থান সম্পূৰ্ণৰূপে অনুকূল কৰা হৈছিল যেতিয়ালৈকে সৰ্বোচ্চ চাপৰ উপাদান ০.১ GPa ৰ তলত আৰু সৰ্বোচ্চ বল উপাদান ০.০২ eV/Å ৰ তলত নাথাকে। পৃষ্ঠৰ আৰ্হিত FAPbI3 ৰ পৃষ্ঠত ৪টা স্তৰ থাকে, তলৰ স্তৰত FAPbI3 ৰ দেহটোক অনুকৰণ কৰা স্থিৰ পৰমাণু থাকে আৰু ওপৰৰ তিনিটা স্তৰে অনুকূলন প্ৰক্ৰিয়াৰ সময়ত মুক্তভাৱে গতি কৰিব পাৰে। PbC2O4 স্তৰটো ১ ML ডাঠ আৰু ই FAPbI3 ৰ I-টাৰ্মিনেল পৃষ্ঠত অৱস্থিত, য'ত Pb 1 I আৰু 4 O ৰ সৈতে বান্ধ খাই থাকে।
অধ্যয়নৰ ডিজাইনৰ বিষয়ে অধিক তথ্যৰ বাবে এই প্ৰবন্ধৰ সৈতে জড়িত প্ৰাকৃতিক পৰ্টফলিঅ' প্ৰতিবেদন বিমূৰ্ত চাওক।
এই অধ্যয়নৰ সময়ত পোৱা বা বিশ্লেষণ কৰা সকলো তথ্য প্ৰকাশিত প্ৰবন্ধটোত অন্তৰ্ভুক্ত কৰা হৈছে, লগতে সমৰ্থনকাৰী তথ্য আৰু কেঁচা তথ্য ফাইলত অন্তৰ্ভুক্ত কৰা হৈছে। এই অধ্যয়নত উপস্থাপন কৰা কেঁচা তথ্য https://doi.org/10.6084/m9.figshare.2410016440 ত উপলব্ধ। এই লেখাটোৰ বাবে উৎস তথ্য প্ৰদান কৰা হৈছে।
গ্ৰীণ, এম. সৌৰকোষৰ দক্ষতা সূচী (৫৭ সংস্কৰণ)। কাৰ্য্যক্ৰম। ফটোইলেক্ট্ৰিক। সম্পদ। দৰ্খাস্ত। ২৯, ৩–১৫ (২০২১)।
পাৰ্কাৰ জে আৰু অন্যান্য। অস্বাভাৱিক এলকাইল এমোনিয়াম ক্লৰাইড ব্যৱহাৰ কৰি পেৰ’ভস্কাইট স্তৰৰ বৃদ্ধি নিয়ন্ত্ৰণ কৰা। প্ৰকৃতি ৬১৬, ৭২৪–৭৩০ (২০২৩)।
ঝাও ৱাই আৰু অন্যান্য। নিষ্ক্ৰিয় (PbI2)2RbCl এ উচ্চ কাৰ্যক্ষম সৌৰকোষৰ বাবে পেৰ’ভস্কাইট ফিল্মক স্থিৰ কৰে। বিজ্ঞান ৩৭৭, ৫৩১–৫৩৪ (২০২২)।
টান, কে আৰু অন্যান্য। ডাইমিথাইলএক্ৰিডিনাইল ড’পেণ্ট ব্যৱহাৰ কৰি ওলোটা পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষ। প্ৰকৃতি, ৬২০, ৫৪৫–৫৫১ (২০২৩)।
হান, কে আৰু অন্যান্য। একক স্ফটিকীয় ফৰ্মেমিডিন লিড আয়'ডাইড (FAPbI3): গাঁথনিগত, আলোকীয় আৰু বৈদ্যুতিক ধৰ্মৰ অন্তৰ্দৃষ্টি। ক্ৰিয়া বিশেষণ। মেট. ২৮, ২২৫৩–২২৫৮ (২০১৬)।
মেছি, এছ আৰু অন্যান্য। FAPbI3 আৰু CsPbI3 ত ক'লা পেৰ'ভস্কাইট পৰ্যায়ৰ স্থিতিশীলতা। এ কে এছ শক্তি যোগাযোগ। ৫, ১৯৭৪–১৯৮৫ (২০২০)।
আপুনি, জে জে, ইত্যাদি। উন্নত বাহক ব্যৱস্থাপনাৰ জৰিয়তে দক্ষ পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষ। নেচাৰ ৫৯০, ৫৮৭–৫৯৩ (২০২১)।
ছালিবা এম. পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষত ৰুবিডিয়াম কেটিয়ন অন্তৰ্ভুক্ত কৰিলে ফটোভল্টিক কাৰ্য্যক্ষমতা উন্নত হয়। বিজ্ঞান ৩৫৪, ২০৬–২০৯ (২০১৬)।
ছালিবা এম. ট্ৰিপল-কেটিয়ন পেৰ'ভস্কাইট চিজিয়াম সৌৰকোষ: উন্নত স্থিৰতা, পুনৰুত্পাদন ক্ষমতা আৰু উচ্চ কাৰ্যক্ষমতা। শক্তিৰ পৰিৱেশ। বিজ্ঞান। ৯, ১৯৮৯–১৯৯৭ (২০১৬)।
কুই এক্স আৰু অন্যান্য। উচ্চ-কাৰ্যক্ষম পেৰ'ভস্কাইট সৌৰকোষত FAPbI3 পৰ্যায় স্থিতিশীলতাৰ শেহতীয়া অগ্ৰগতি Sol. আৰ আৰ এল ৬, ২২০০৪৯৭ (২০২২)।
ডেলাগেটা এছ আৰু অন্যান্য। মিশ্ৰিত হেলাইড জৈৱিক-অজৈৱিক পেৰ'ভস্কাইটৰ যুক্তিসংগত আলোকপ্ৰৰোচিত পৰ্যায় পৃথকীকৰণ। নাট। যোগাযোগ। ৮, ২০০ (২০১৭)।
স্লটকেভেজ, ডি জে ইত্যাদি। হেলাইড পেৰ’ভস্কাইট শোষকত পোহৰ-প্ৰৰোচিত পৰ্যায় পৃথকীকৰণ। এ কে এছ শক্তি যোগাযোগ। ১, ১১৯৯–১২০৫ (২০১৬)।
চেন, এল. ফৰ্মেমিডিন লিড ট্ৰাইআয়ডাইড পেৰ'ভস্কাইট একক স্ফটিকৰ অন্তৰ্নিহিত পৰ্যায়ৰ স্থিৰতা আৰু অন্তৰ্নিহিত বেণ্ডগেপ। অঞ্জিৱ। ৰাসায়নিক। আন্তৰ্জাতিকতা। এড. ৬১.ই২০২২১২৭০০ (২০২২)।
Duinsti, EA আদি মিথাইলিনডাইএমোনিয়ামৰ পচন আৰু সীহৰ ট্ৰাইআয়ডাইড ফৰ্মেমিডিনৰ পৰ্যায় স্থিতিশীলতাত ইয়াৰ ভূমিকা বুজিব পাৰিব। জে কেম. বিচ্চ। ১৮, ১০২৭৫–১০২৮৪ (২০২৩)।
লু, এইচ জেড আৰু অন্যান্য। ক'লা পেৰ'ভস্কাইট সৌৰকোষ FAPbI3 ৰ দক্ষ আৰু সুস্থিৰ বাষ্প নিক্ষেপ। বিজ্ঞান ৩৭০, ৭৪ (২০২০)।
ড'হাৰ্টি, টিএএছ আদি সুস্থিৰ হেলনীয়া অষ্টভুজ হেলাইড পেৰ'ভস্কাইটে সীমিত বৈশিষ্ট্যৰ সৈতে পৰ্যায়ৰ স্থানীয় গঠন দমন কৰে। বিজ্ঞান ৩৭৪, ১৫৯৮–১৬০৫ (২০২১)।
হো, কে আৰু অন্যান্য। আৰ্দ্ৰতা আৰু পোহৰৰ প্ৰভাৱত ফৰ্মেমিডিন দানা আৰু চিজিয়াম আৰু সীহ আয়'ডাইড পেৰ'ভস্কাইটৰ ৰূপান্তৰ আৰু অৱক্ষয়ৰ ব্যৱস্থা। এ কে এছ শক্তি যোগাযোগ। ৬, ৯৩৪–৯৪০ (২০২১)।
ঝেং জে আৰু অন্যান্য। α-FAPbI3 পেৰ’ভস্কাইট সৌৰকোষৰ বাবে ছ্যুড’হেলাইড এনিয়নৰ বিকাশ। প্ৰকৃতি ৫৯২, ৩৮১–৩৮৫ (২০২১)।